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【图文导读】图一，目录晶体结构与对称性分析(a)L11CuPt(CoPt)的晶体结构示意图(b)L11结构面内的对称性分析(c)L11CuPt(CoPt)的STEM图像图二，目录对称性相关的无外场磁化翻转(a)L11CuPt(CoPt)器件示意图(b)电流流动方向对应晶格方向示意图(c)反常霍尔效应曲线(d)电流流动方向对应的磁化翻转效率(e)电流流动方向对应的磁化翻转曲线图三，对称性相关的有效场(a)样品一阶与二阶霍尔信号(b,c)电流流动方向对应的面内有效场(d-i)电流流动方向对应的面外有效场图四，CuPt/CoPt面外转矩的理论模型(a)无外场时的面内转矩与面外转矩的稳定性计算(b-e)电流流动方向对应的面内转矩与面外转矩示意图图五，CuPt/CoPt柱状样品的磁化翻转(a)CuPt/CoPt柱状样品示意图(b) 样品反常霍尔效应曲线(c)样品无外场磁化翻转曲线(d-k)样品在正负22 mA电流下的MOKE图【小结】在材料研究上，本文首次实现了基于HM/FM双层结构的无外场的磁化翻转，朝着完全基于电控磁存储器迈进了重要的一步。自2008年，截至已获得由世界上最大的硬盘公司美国希捷公司超过100万美元的赞助，截至并获得新加坡科学技术部，教育部和国家研究基金会超过1200万新加坡元的赞助。